云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 关于实施高品质磷化铟单晶片建设项目的 公告

　　证券代码：002428        证券简称：云南锗业         公告编号：2026-018

　　本公司及董事会全体成员保证信息披露内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

　　一、 对外投资概述

　　2026年4月3日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“公司”）第九届董事会第二次会议审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》，同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称“云南鑫耀”）实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。项目计划总投资18,856万元，由云南鑫耀在现有产能基础上扩建产能，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。

　　本次对外投资事项不构成关联交易，不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。根据《深圳证券交易所股票上市规则》《公司章程》等相关规定，本次对外投资事项在董事会权限范围内，无需提交股东会审议。

　　本次拟实施的项目需经国家有关部门批准或备案后方可实施。

　　二、项目建设的主要内容

　　1、项目名称：高品质磷化铟单晶片建设项目

　　2、实施主体：云南鑫耀半导体材料有限公司

　　3、建设内容：

　　项目计划由云南鑫耀在现有厂区租赁厂房，对原有产线进行适应性改造，新增主要工艺设备及公辅设施，在现有产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸计算，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。

　　4、建设地点：

　　云南省昆明市高新区马金铺魁星街666号

　　5、项目建设期：18个月

　　6、项目投资规模及资金来源：项目总投资18,856万元，其中：固定资产投资15,250万元，铺底流动资金3,606万元。资金来源为自有资金及金融机构贷款。

　　7、项目经济效益：经测算，本项目内部收益率为49.51%，投资回收期为4.48年（含建设期）。（风险提示：上述项目的经济效益测算是基于当前的市场状况，并不代表公司对该项目的业绩承诺，能否实现受项目的进展情况、宏观经济环境、市场变化及经营团队努力程度等诸多因素的影响，存在一定的不确定性，请投资者注意投资风险）

　　三、项目实施主体基本情况

　　名称：云南鑫耀半导体材料有限公司

　　统一社会信用代码：915301000776173084

　　类型：有限责任公司(自然人投资或控股)

　　法定代表人：包文东

　　注册资本：48601.064401万元

　　成立日期：2013年09月10日

　　营业期限：2013年09月10日至无固定期限

　　住所：云南省昆明市高新区马金铺魁星街666号2楼

　　经营范围：一般项目：电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；货物进出口；技术进出口（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）。

　　截至目前，公司持有云南鑫耀55.8324%股权，云南鑫耀为公司控股子公司。

　　四、本次投资的目的、存在的风险和对公司的影响

　　1、存在的风险及应对措施

　　存在的风险：（1）市场风险。一是市场供需实际情况与预测值发生偏离；二是项目产品市场竞争力发生重大变化；三是项目产品和主要原材料的实际价格与预测价格发生较大偏离。上述市场情况变化将对项目盈利能力产生影响。（2）技术风险。如项目采用技术的先进性、可靠性、适用性和可行性与预测方案发生重大变化，将导致生产能力和利用率降低，生产成本增加，产品质量达不到预期要求。（3）组织管理风险。由于项目组织结构不当、管理机制不完善等因素，导致项目不能按期建成；未能制定有效的企业竞争策略，而导致企业在市场竞争中失败。（4）资金风险。资金来源中断或供应不足导致项目工期拖期甚至被迫终止，利率变化导致融资成本增加。

　　应对措施：一是深入市场调研，加强前期准备与技术开发，严控产品质量，根据市场变化，动态调整产品方向；二是优化内部管理，挖掘潜力，降低成本，提升生产效率和产品质量；三是推进职工培训与人才引进，完善人才引进与留用机制，增强技术与人才储备，依托成熟技术和经验，高薪引进管理与技术人才，加强知识产权保护；四是成立项目领导小组，明确职责分工，有序推进项目实施；五是保障各阶段资金足额及时到位，科学统筹资金使用，严格落实投资控制，确保项目按期推进。

　　2、本次对外投资的目的和对公司的影响

　　磷化铟单晶片属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有电子迁移率高、抗辐射能力强、导热性好、禁带宽度高和高频光电转换效率优异等诸多优点，主要用于生产激光器、探测器芯片，是应用于数据中心、高速光模块、高功率激光器等领域的关键基础材料。近年来，随着光通信市场需求的快速增长，高速光模块已进入规模化部署阶段，下游厂商对于磷化铟单晶片的需求持续扩大，同时也对尺寸和品质提出了更高要求，公司现有产能已无法满足市场需求。公司拟通过本次项目投资，紧抓产业发展机遇，进一步扩大产能，提高工艺技术水平，加大关键核心技术的研发及成果转化，推动设备优化升级，提升产品质量和生产效率，从而更好地满足持续增长的市场需求。

　　本项目实施完成后，公司控股子公司云南鑫耀将具备年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。项目的实施是在现有产能基础上扩建，不会影响现有生产线的运行，不会对公司正常的生产经营造成重大不利影响。项目的实施能够满足当前客户需求并紧跟未来下游需求的趋势，对促进公司产业向深加工方向转型升级有积极意义，有利于进一步增强企业的核心竞争力和盈利能力，实现公司化合物半导体材料产业的高质量发展。

　　特此公告。

　　云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会

　　2026年4月4日

　　证券代码：002428        证券简称：云南锗业         公告编号：2026-017

　　云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

　　第九届董事会第二次会议决议公告

　　本公司及董事会全体成员保证信息披露内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

　　云南临沧鑫圆锗业股份有限公司（以下简称“公司”）第九届董事会第二次会议通知于2026年3月30日以通讯方式发出，并于2026年4月3日以通讯方式召开。会议应出席董事7名，实际出席董事7名。本次会议出席人数、召开程序、议事内容均符合《公司法》和《公司章程》的规定。会议经表决形成如下决议：

　　会议以7票同意，0票反对，0票弃权，通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》。

　　同意公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。

　　详细内容请见公司同日在《证券时报》《中国证券报》《上海证券报》《证券日报》及巨潮资讯网（http://www.cninfo.com.cn）上刊登的《云南临沧鑫圆锗业股份有限公司关于实施高品质磷化铟单晶片建设项目的公告》。

　　特此公告。

　　云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会

　　2026年4月4日