长鑫科技拟新建测试基地二期及技术研发项目

　　本报记者 徐一鸣

　　9月29日，存储龙头长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）发布公告称，该公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时，该公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

　　具体来看，上述技术研发项目计划投资总额为241亿元。其中，设备购置费为223.98亿元，占该项目计划投资总额比重为92.94%。该项目投资建设期为30个月，聚焦DRAM（动态随机存取存储器）芯片工艺迭代、性能升级与新技术研发，将加速推进存储密度、功耗控制、读写性能的全方位突破，持续追赶行业前沿技术。

　　长鑫科技相关负责人向《证券日报》记者表示，技术研发项目的实施，有利于公司进一步保持和增强技术研发实力，有助增强公司的市场地位，提升整体核心竞争力。

　　此外，上述测试基地二期项目计划投资总额为108亿元。其中，建设投资费用为100亿元，占测试基地二期项目计划投资总额比重的92.59%，该项目投资建设期为37个月。

　　“随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能和新增投资配套不足的问题，公司急需增加自建测试产能的投入。”长鑫科技公告显示，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于进一步完善IDM（垂直整合制造工厂）模式、增强整体竞争力。

　　截至目前，长鑫科技已在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了完善的核心技术体系，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从DDR（双倍速率同步动态随机存储器）4、LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。

　　中国商业经济学会副会长宋向清在接受《证券日报》记者采访时表示，当前，全球存储行业正处于技术迭代周期与产能结构调整窗口期，长鑫科技将资金投向技术研发与配套产能，有助于为国内半导体产业高质量发展注入强劲动力。